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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S25L004A0LMAI003 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 1 FLASH 3V PROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.208 INCH, PLASTIC, SOP-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/39頁(yè) |
| 文件大小： | 945K |
| 代理商： | S25L004A0LMAI003 |
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16
S25FL Family (Serial Peripheral Interface) S25FL004A
S25FL004A_00_A1 March 28, 2005
Ad va n c e
In f o rm a t i o n
Write Disable (WRDI)
The Write Disable (WRDI) instruction (Figure 5) resets the Write Enable Latch
(WEL) bit. The Write Disable (WRDI) instruction is entered by driving Chip Select
(CS#) Low, sending the instruction code, and then driving Chip Select (CS#)
High.
The Write Enable Latch (WEL) bit is reset under the following conditions:
Power-up
Write Disable (WRDI) instruction completion
Write Status Register (WRSR) instruction completion
Page Program (PP) instruction completion
Sector Erase (SE) instruction completion
Bulk Erase (BE) instruction completion.
Figure 5. Write Disable (WRDI) Instruction Sequence
0 1 2 34 5 6 7
SCK
SI
SO
High Impedance
Instruction
CS#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S25VB80 | 6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S268P | PIN PHOTO DIODE |
| S29GL01GP12FACR13 | 1G X 1 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA64 |
| S29GL128P10TFI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P10TFIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S25M | 功能描述:整流器 1000V 25A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S25M50M3 | 制造商:SR COMPONENTS 功能描述: 制造商:SR Components Inc 功能描述: |
| S-25M9F-NM-6' | 制造商:Pan Pacific 功能描述: |
| S-25MD8-10'SI | 制造商:Pan Pacific 功能描述: |
| S-25MF-100' | 制造商:Pan Pacific 功能描述: |
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