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STS4DNF60L

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STS4DNF60L
    STS4DNF60L

    STS4DNF60L

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

    電話(huà)：17841084408

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和大廈B座20

  • 12850

  • ST

  • SOP8

  • 19+原裝正品

  • -

  • 香港總公司18年專(zhuān)業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

  • STS4DNF60L
    STS4DNF60L

    STS4DNF60L

  • 深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
    深圳市軒盛達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳

    電話(huà)：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈五樓5C103

  • 10000

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

  • STS4DNF60L
    STS4DNF60L

    STS4DNF60L

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人：胡慶偉

    電話(huà)：13138879988

    地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號(hào) 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 7970

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

  • 0.29618 USD,szpoweri...

STS4DNF60L PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STS4DNF60L 技術(shù)參數(shù)
  • STS4DNF60 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS4DNF30L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:330pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS4C3F60L 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A，3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS3P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS3DPF60L 功能描述:MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:630pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS5DPF20L STS5N15F3 STS5N15F4 STS5NF60L STS5P3LLH6 STS5PF20V STS5PF30L STS6NF20V STS6P3LLH6 STS6PF30L STS7C4F30L STS7N3LLH6 STS7NF60L STS7P4LLF6 STS7PF30L STS8C5H30L STS8DN3LLH5 STS8DN6LF6AG
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