STQ2NK60ZR-AP

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
SuperMESH™
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

STQ2NK60ZR-AP 技術(shù)參數(shù)

STQ2LN60K3-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:600mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:235pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 STQ2HNK60ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.8 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:280pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 STQ1NK80ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 STQ1NK60ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 歐姆 @ 400mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:94pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 STQ1HNK60R-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:400mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:156pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 STQN1553-3 STQN1553-45 STQN1553-5 STR05S05 STR05S05-TR STR05S09 STR05S12 STR05S12-TR STR05S15 STR05S1V5 STR05S1V8 STR05S2V5 STR05S3V3 STR05S3V3-TR STR05S6V5 STR-15 STR1550 STR1P2UH7