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STP3NK90ZFP

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STP3NK90ZFP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • SuperMESH™
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
STP3NK90ZFP 技術(shù)參數(shù)
  • STP3NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.8 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):590pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP3NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 1.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):485pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP3NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 歐姆 @ 1.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):311pF @ 25V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STP3NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 歐姆 @ 1.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):311pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP3NK50Z 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):15nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):280pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):45W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.3 歐姆 @ 1.15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 STP40NS15 STP410N4F7AG STP42N60M2-EP STP42N65M5 STP43N60DM2 STP45N10F7 STP45N40DM2AG STP45N60DM2AG STP45N65M5 STP45NE06 STP45NF06 STP45NF3LL STP46NF30 STP4CMPQTR STP4LN80K5 STP4N150 STP4N52K3 STP4N62K3
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