STP11NM60

配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

4/5頁(yè) 40條/頁(yè) 共192條
上一頁(yè) 1 2 3 4 5 下一頁(yè)

您是不是要找： STP11NM60A STP11NM60FD STP11NM60FDFP STP11NM60FP STP11NM60N STP11NM60ND STP11NM65N STP11NM80 STP120N10F4

STP11NM60 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

STP11NM60 PDF下載

功能描述
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STP11NM60 技術(shù)參數(shù)

STP11NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:470 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:547pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP11NK50ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1390pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP11NK50Z 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1390pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP11NK40ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 400V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:930pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP11NK40Z 功能描述:MOSFET N-CH 400V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:930pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP120N4F6 STP120NF04 STP120NF10 STP120NH03L STP12IE90F4 STP12N120K5 STP12N50M2 STP12N60M2 STP12N65M2 STP12N65M5 STP12NK30Z STP12NK60Z STP12NK80Z STP12NM50 STP12NM50FD STP12NM50FP STP12NM50N STP12NM60N