STGW19NC60H

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2/2頁 40條/頁共64條
上一頁 1 2

您是不是要找： STGW19NC60HD STGW19NC60W STGW19NC60WD STGW20H60DF STGW20H65FB STGW20IH125DF STGW20NB60KD STGW20NC60V STGW20NC60VD

STGW19NC60H PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

STGW19NC60H PDF下載

功能描述
IGBT 晶體管 19 A 600V FAST IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGW19NC60H 技術(shù)參數(shù)

STGW15S120DF3 功能描述:IGBT 1200V 15A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.05V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:540μJ（開），1.38mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:53nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:23ns/140ns 測試條件:600V，15A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:270ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGW15M120DF3 功能描述:IGBT 1200V 30A 259W 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:550μJ（開），850μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:226nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:26ns/122ns 測試條件:600V，15A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:270ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGW15H120F2 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:380μJ（開），370μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:67nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:23ns/111ns 測試條件:600V，15A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGW15H120DF2 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:380μJ（開），370μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:67nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:23ns/111ns 測試條件:600V，15A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:231ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGW10M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:管件零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:115W 開關(guān)能量:120μJ（開），270μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:28nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:19ns/91ns 測試條件:400V，10A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:96ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 STGW20V60DF STGW20V60F STGW25H120DF2 STGW25H120F2 STGW25M120DF3 STGW25S120DF3 STGW28IH125DF STGW30H60DF STGW30H60DFB STGW30H60DLFB STGW30H65FB STGW30M65DF2 STGW30N120KD STGW30N90D STGW30NC120HD STGW30NC60KD STGW30NC60VD STGW30NC60W