STGP10NB60SD

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型號(hào)
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數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
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功能描述
IGBT 晶體管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGP10NB60SD 技術(shù)參數(shù)

STGP10NB60S 功能描述:IGBT 600V 29A 80W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:29A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.75V @ 15V，10A 功率 - 最大值:80W 開(kāi)關(guān)能量:600μJ（開(kāi)），5mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:33nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:700ns/1.2μs 測(cè)試條件:480V，10A，1 千歐，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STGP10NB37LZ 功能描述:IGBT 440V 20A 125W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:440V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 4.5V，10A 功率 - 最大值:125W 開(kāi)關(guān)能量:2.4mJ（開(kāi)），5mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:28nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:1.3μs/8μs 測(cè)試條件:328V，10A，1 千歐，5V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STGP10M65DF2 功能描述:IGBT 650V 10A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:115W 開(kāi)關(guān)能量:120μJ（開(kāi)），270μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:28nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:19ns/91ns 測(cè)試條件:400V，10A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:96ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STGP10H60DF 功能描述:IGBT 600V 20A 115W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.95V @ 15V，10A 功率 - 最大值:115W 開(kāi)關(guān)能量:83μJ（開(kāi)），140μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:57nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:19.5ns/103ns 測(cè)試條件:400V，10A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:107ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STGP100N30 功能描述:IGBT 330V 90A 250W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:330V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:90A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，50A 功率 - 最大值:250W 開(kāi)關(guān)能量:- 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:-/134ns 測(cè)試條件:180V，25A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STGP14N60D STGP14NC60KD STGP15H60DF STGP15M65DF2 STGP18N40LZ STGP19NC60H STGP19NC60HD STGP19NC60KD STGP19NC60S STGP19NC60SD STGP19NC60W STGP19NC60WD STGP20H60DF STGP20M65DF2 STGP20NC60V STGP20V60DF STGP20V60F STGP30H60DF