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STF24NM60N

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STF24NM60N
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場1713室
10000
STM
TO-220FP-3
21+
-
只做原裝，型號(hào)齊全，價(jià)格優(yōu)惠。

STF24NM60N
深圳市遠(yuǎn)晨電子有限公司
深圳市遠(yuǎn)晨電子有限公司
聯(lián)系人：周小姐/詹小姐
電話：0755-839722581341006000718138206816
地址：深圳市福田區(qū)振興西路101號(hào)華勻大廈1棟401室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
300000
SI
TO-220F
18+
-
原裝正品現(xiàn)貨83972258

STF24NM60N
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場54樓5403B-5404AB
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
ST
N/A
22+
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

STF24NM60N
東莞鼎岑科技有限公司
東莞鼎岑科技有限公司
聯(lián)系人：莫
電話：18925581989
地址：廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)林村大道445號(hào)北鉅業(yè)大夏319室
20000
ST
21+
-

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功能描述
MOSFET N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STF24NM60N 技術(shù)參數(shù)

STF24N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1060pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF24N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1060pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF24N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1055pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220 整包標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF23NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1330pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF23N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 16A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:280 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF26NM60ND STF26NM60N-H STF27N60M2-EP STF28N60DM2 STF28N60M2 STF28N65M2 STF28NM50N STF28NM60ND STF2HNK60Z STF2LN60K3 STF2N62K3 STF2N80K5 STF2N95K5 STF2NK60Z STF30100C STF30120C STF30120CR STF30150C