SI4214DDY-T1-GE3

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功能描述
MOSFET 30V 8.5A 3.1W 19.5mohm @ 10V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

SI4214DDY-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)

SI4210-D-GM 功能描述:射頻無線雜項 Aero II rev D RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel SI4136M-EVB 功能描述:BOARD EVALUATION FOR SI4136 制造商:silicon labs 系列:- 零件狀態(tài):有效類型:合成器頻率:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:SI4136 所含物品:板標準包裝:1 SI4136-F-GTR 功能描述:射頻無線雜項 WLAN Satellite Radio Synthesizer RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel SI4136-F-GT 功能描述:射頻無線雜項 WLAN SATELITE RADIO TSSOP-24 RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel SI4136-F-GMR 功能描述:時鐘發(fā)生器及支持產(chǎn)品 WLAN Satellite Radio Synthesizer RoHS:否制造商:Silicon Labs 類型:Clock Generators 最大輸入頻率:14.318 MHz 最大輸出頻率:166 MHz 輸出端數(shù)量:16 占空比 - 最大:55 % 工作電源電壓:3.3 V 工作電源電流:1 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-56 SI4288DY-T1-GE3 SI4300-E-BM SI4300-EVB SI4300T-B-BM SI-430-C1002 SI-430-C6050 SI-430-C8002 SI-430-C8012 SI4310BDY-T1-E3 SI4311-B10-GM SI4311-B12-GM SI4311-B12-GMR SI4311-B21-GM SI4311-B21-GMR SI4312-B10-GM SI4312-B10-GMR SI4313-B1-FM SI4313-B1-FMR