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SI4134DY-T1-GE3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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  • 功能描述
  • MOSFET 30V 14A 5.0W
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SI4134DY-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
  • SI4133WM-EVB 功能描述:KIT EVAL FOR SI4133W-BM 制造商:silicon labs 系列:- 零件狀態(tài):過期 類型:合成器 頻率:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:SI4133W-BM 所含物品:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SI4133T-GM 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) Aero RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel SI4133T-BM 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) Aero RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel SI4133M-EVB 功能描述:BOARD EVALUATION FOR SI4133 制造商:silicon labs 系列:- 零件狀態(tài):有效 類型:合成器 頻率:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:SI4133 所含物品:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SI4133GX2-BM 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) Dual-Band Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel SI4136-F-GMR SI4136-F-GT SI4136-F-GTR SI4136M-EVB SI4143DY-T1-GE3 SI-415-1 SI4154DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 SI4158DY-T1-GE3 SI-415-C6050 SI-415-C8002 SI-415-C8012 SI4160DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 SI4170DY-T1-GE3
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