SI4116DY-T1-E3

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

2/2頁 40條/頁共68條
上一頁 1 2

您是不是要找： SI4116DY-T1-GE3 SI4122-BT SI4122-D-GM SI4122-D-GMR SI4122-D-GT SI4122-D-GTR SI4122DY-T1-GE3 SI4122-EVB SI4122M-EVB

SI4116DY-T1-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

SI4116DY-T1-E3 PDF下載

功能描述
MOSFET 25V 18A 5.0W 8.6mohm @ 10V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

SI4116DY-T1-E3 技術(shù)參數(shù)

SI4115G-BM 功能描述:鎖相環(huán) - PLL CONTACT SILICON LABS FOR AVAILABILITY RoHS:否制造商:Silicon Labs 類型:PLL Clock Multiplier 電路數(shù)量:1 最大輸入頻率:710 MHz 最小輸入頻率:0.002 MHz 輸出頻率范圍:0.002 MHz to 808 MHz 電源電壓-最大:3.63 V 電源電壓-最小:1.71 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:QFN-36 封裝:Tray SI4114G-BM 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) CONTACT SILICON LABS FOR AVAILABILITY RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel SI4114G-B-GM 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel SI4113M-EVB 功能描述:BOARD EVALUATION FOR SI4113 制造商:silicon labs 系列:- 零件狀態(tài):有效類型:合成器頻率:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:SI4113 所含物品:板標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SI4113-D-ZT1 功能描述:鎖相環(huán) - PLL Dual-Bnd RF Synthszr RF1/RF2 RF Only NiPd RoHS:否制造商:Silicon Labs 類型:PLL Clock Multiplier 電路數(shù)量:1 最大輸入頻率:710 MHz 最小輸入頻率:0.002 MHz 輸出頻率范圍:0.002 MHz to 808 MHz 電源電壓-最大:3.63 V 電源電壓-最小:1.71 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:QFN-36 封裝:Tray SI4123-BM SI4123-BT SI4123-D-GM SI4123-D-GMR SI4123-D-GT SI4123-D-GTR SI4123-EVB SI4123M-EVB SI4124DY-T1-E3 SI4124DY-T1-GE3 SI4126-BM SI4126DY-T1-GE3 SI4126-F-BM SI4126-F-BMR SI4126-F-GM SI4126-F-GMR SI4126M-EVB SI4128BDY-T1-GE3