S28B-PHDSS

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功能描述
CONN HEADER PHD SIDE 28POS 2MM
RoHS
否
類別
連接器，互連式 >> 矩形- 接頭，公引腳
系列
PHD
標準包裝
500
系列
951
觸點類型：
公形引腳
連接器類型
接頭，無罩
位置數(shù)
39
加載位置的數(shù)目
全部
間距
0.079"（2.00mm）
行數(shù)
1
行間距
-
觸點接合長度
0.157"（4.00mm）
安裝類型
表面貼裝
端子
焊接
緊固型
-
特點
-
觸點表面涂層
金
觸點涂層厚度
10µin（0.25µm）
顏色
黑
包裝
帶卷 (TR)
配套產(chǎn)品
953139-2000-AR-TP-ND - CONN SOCKET 39POS 2MM VERT SMD953139-2000-AR-PT-ND - CONN SOCKET 39POS 2MM VERT SMD953139-2000-AR-PR-ND - CONN SOCKET 39POS 2MM VERT SMD950539-6102-AR-ND - CONN SOCKET 39POS 2MM VERT PCB950539-5002-AR-ND - CONN SOCKET 39POS 2MM R/A PCB
其它名稱
0 00 51111 06579 2DE600007285S0 00 51111 06579 2

S28B-PHDSS 技術參數(shù)

S28AW 功能描述:Toggle Switch DPDT Panel Mount 制造商:nkk switches 系列:S 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電路:DPDT 開關功能:瞬時-關-瞬時額定電流:15A（AC），20A（DC）額定電壓 - AC:125V 額定電壓 - DC:30V 致動器類型:標準圓形致動器長度:17.50mm 照明:不發(fā)光照明類型，顏色:- 照明電壓（標稱值）:- 安裝類型:面板安裝端子類型:焊片面板開口尺寸:圓形 - 12.50mm 直徑襯套螺紋:M12 x 1 侵入防護:IP67 - 防塵，防水特性:- 致動器材料:黃銅，鍍鉻電氣壽命:25，000 次循環(huán) 工作溫度:-30°C ~ 70°C 標準包裝:1 S27KS0641DPBHV023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術:DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應商器件封裝:24-BGA（6x8）標準包裝:1 S27KS0641DPBHV020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術:DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應商器件封裝:24-BGA（6x8）標準包裝:338 S27KS0641DPBHI023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術:DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應商器件封裝:24-BGA（6x8）標準包裝:1 S27KS0641DPBHI020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術:DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應商器件封裝:24-BGA（6x8）標準包裝:338 S29AL008J55TFAR20 S29AL008J55TFAR23 S29AL008J55TFIR10 S29AL008J55TFIR20 S29AL008J55TFIR23 S29AL008J55TFNR10 S29AL008J55TFNR20 S29AL008J70BAI010 S29AL008J70BAI012 S29AL008J70BAI020 S29AL008J70BAN020 S29AL008J70BFA010 S29AL008J70BFA020 S29AL008J70BFI010 S29AL008J70BFI013 S29AL008J70BFI020 S29AL008J70BFI022 S29AL008J70BFI023