STW5630/JDR18BDR

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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

STW5630/JDR18BDR
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
175000
Seoul Semiconductor Inc.
LED原廠規(guī)格
23+
-
真實的資源竭誠服務(wù)您

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1

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功能描述
LED Lighting COBs, Engines, Modules -
制造商
seoul semiconductor inc.
系列
-
包裝
-
零件狀態(tài)
過期
類型
-
顏色
-
CCT（K）
-
波長
-
配置
-
通量 @ 電流/溫度 -測試
-
電流 - 測試
-
溫度 - 測試
-
電壓 - 正向（Vf）（典型值）
-
不同測試電流時的流明/瓦
-
電流 - 最大值
-
CRI（高顯色指數(shù)）
-
視角
-
特性
-
大小/尺寸
-
高度
-
發(fā)光面（LES）
-
透鏡類型
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

STW5630/JDR18BDR 技術(shù)參數(shù)

STW55NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW55NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW55NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 54A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:54A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:54 毫歐 @ 27A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW54NM65ND 功能描述:MOSFET N-CH 650V 59A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:188nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6200pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW52NK25Z 功能描述:MOSFET N-CH 250V 52A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:52A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW58N60DM2AG STW58N65DM2AG STW5NK100Z STW60N65M5 STW60NE10 STW60NM50N STW62N65M5 STW62NM60N STW65N65DM2AG STW65N80K5 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2