STS1DNF20

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STS1DNF20
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
-
18+
-
MOSFET N-CH 8SOIC

STS1DNF20
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
18186
ST/意法
8SOIC
22+
-

STS1DNF20
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ST
8SOIC
最新批號(hào)
-
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功能描述
MOSFET N-Ch Mosfet APM Power Mosfet SO 08
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STS1DNF20 技術(shù)參數(shù)

STS1DNC45 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:400mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS1DN45K3 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.8 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS19N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 9.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS17NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS17NF3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2160pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS220PC STS2300PC STS230PC STS2400PC STS240PC STS250PC STS25NH3LL STS25NH3LL-E STS260PC STS26N3LLH6 STS2DNF30L STS2DPF80 STS2DPFS20V STS-30-DIS STS30N3LLH6 STS-31-DIS STS3C2F100 STS3DNE60L