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STP80NF55-08AG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STP80NF55-08AG
    STP80NF55-08AG

    STP80NF55-08AG

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 9000

  • ST

  • QFP

  • 20+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • STP80NF55-08AG
    STP80NF55-08AG

    STP80NF55-08AG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-220AB

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • STP80NF55-08AG
    STP80NF55-08AG

    STP80NF55-08AG

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6002

  • ST/意法半導體

  • TO-220-3

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 80A（Tc）
  • 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • -
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 112nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • -
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 300W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • -
  • 工作溫度
  • -
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應商器件封裝
  • TO-220
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3
  • 標準包裝
  • 1,000
STP80NF55-08AG 技術參數
  • STP80NF55-08 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:155nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP80NF55-06 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:189nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP80NF12 功能描述:MOSFET N-CH 120V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:189nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4300pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP80NF10FP 功能描述:MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:189nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4300pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STP80NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:182nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP8NK100Z STP8NK80Z STP8NK80ZFP STP8NK85Z STP8NM50 STP8NM50FP STP8NM50N STP8NM60 STP8NM60D STP8NM60FP STP8NM60N STP8NM60ND STP8NS25 STP8NS25FP STP90N4F3 STP90N55F4 STP90N6F6 STP90NF03L
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