STP28X8.5MRD

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STP28X8.5MRD
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王女士
電話：13969210552
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4500
PANDUIT
NA
近兩年
-
查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

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STP28X8.5MRD 技術(shù)參數(shù)

STP28NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:62.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2090pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:158 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1735pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1440pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1370pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28X8MYL STP28X9.5MBL STP28X9.5MBU STP28X9.5MGR STP28X9.5MIG STP28X9.5MOR STP28X9.5MRD STP28X9.5MVL STP28X9.5MYL STP28X9MBL STP28X9MBU STP28X9MGR STP28X9MIG STP28X9MOR STP28X9MRD STP28X9MVL STP28X9MYL STP2CMPQTR