STL5N80K5

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批號(hào)
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說(shuō)明
操作

STL5N80K5
深圳市鵬展勝電子有限公司
深圳市鵬展勝電子有限公司
聯(lián)系人：林先生
電話：135-3814-2003
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
ST/意法半導(dǎo)體
PowerFLAT-5x6-VHV-8
21+
-
原裝正品，假一賠十！

STL5N80K5
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3825
ST
QFN
2209+
-
十年專(zhuān)營(yíng)，供應(yīng)原裝正品！熱賣(mài)現(xiàn)貨！

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STL5N80K5 技術(shù)參數(shù)

STL58N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，STripFET? H5 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:64A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL57N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.3A（Ta），22.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:69 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 100V 功率 - 最大值:189W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFLAT?（8x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL56N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL55NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:55A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.8 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:965pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 STL52N25M5 功能描述:MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1770pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL62P3LLH6 STL-6-350-3-01 STL-6-350-8-01 STL-6-450-3-01 STL-6-450-8-01 STL65DN3LLH5 STL65N3LLH5 STL-6-600-3-01 STL-6-600-8-01 STL66DN3LLH5 STL66N3LLH5 STL-6-750-3-01 STL-6-750-8-01 STL6N2VH5 STL6N3LLH6 STL6NM60N STL6P3LLH6 STL70N10F3