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STG3159DTR

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  • STG3159DTR
    STG3159DTR

    STG3159DTR

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-621049316210489162104578

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • STMicroelectronics

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，原裝正品

  • STG3159DTR
    STG3159DTR

    STG3159DTR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3526

  • ST

  • 6-DFN（1.2x1.0）

  • 14+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存，400-800-03...

  • STG3159DTR
    STG3159DTR

    STG3159DTR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：譚玉麗

    電話：19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 10001

  • STMicroelectronics

  • 6-UFDFN

  • 12+

  • -

  • 授權分銷 現(xiàn)貨熱賣

  • STG3159DTR
    STG3159DTR

    STG3159DTR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • STMICR

  • 最新批號

  • -

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  • 1
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  • 功能描述
  • 開關變換器、穩(wěn)壓器與控制器 Lo Vltg 1 Ohm max Sngl SPDT switch
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 輸出電壓
  • 1.2 V to 10 V
  • 輸出電流
  • 300 mA
  • 輸出功率
  • 輸入電壓
  • 3 V to 17 V
  • 開關頻率
  • 1 MHz
  • 工作溫度范圍
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • WSON-8
  • 封裝
  • Reel
STG3159DTR 技術參數(shù)
  • STG3157CTR 功能描述:模擬開關 IC Low Volt/Low-On SPDT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關數(shù)量:2 開關配置:SPDT 開啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開啟時間（最大值）: 關閉時間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16 STG3155DTR 功能描述:開關變換器、穩(wěn)壓器與控制器 Lo Vltg 0.5 Ohm Max Sngl SPDT switch RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出電壓:1.2 V to 10 V 輸出電流:300 mA 輸出功率: 輸入電壓:3 V to 17 V 開關頻率:1 MHz 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WSON-8 封裝:Reel STFW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1050pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:58A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 29A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:139nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6810pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STG3689DTR STG3690QTR STG3692QTR STG3693QTR STG3696EQTR STG3699ADWF STG3699AQTR STG3699AUTR STG3699BVTR STG3699QTR STG3820BJR STG3856QTR STG3P2M10N60B STG4158BJR STG4159BJR STG4160BJR STG4210QTR STG4259BJR
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