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STD24N06LT4G-VF01

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STD24N06LT4G-VF01 技術(shù)參數(shù)
  • STD22NM20NT4 功能描述:MOSFET N-CH 200V 22A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD20NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:940pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD20NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:690pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD20NF06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:660pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD20NF06LAG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD24W-A STD24W-B STD24W-C STD24W-D STD24W-E STD24W-F STD24W-G STD24W-H STD24W-I STD24W-J STD24W-K STD24W-L STD24W-M STD24W-N STD24W-P STD24W-Q STD24W-R STD24W-S
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