女人与拘的交酡过程,久久天堂av女色优精品

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STB30NM60N
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業(yè)執(zhí)照
18530
ST
D2PAK
23+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨

STB30NM60ND
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO-263
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STB30NM60N
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
ST
D2PAK
22+
-
十年配單，只做原裝

STB30NM60N
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
24+
-
國產品牌，替代進口

STB30NM60N
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
ST
ORIGINAL
2010+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STB30NM60N
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ST
D2PAK
最新批號
-
一級代理，原裝正品現(xiàn)貨！！

STB30NM60N
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
D2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 600V 25A...

STB30NM60N
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
250
ST
TO263
09+
-
全新原裝現(xiàn)貨

STB30NM60N
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
3526
ST
D2PAK
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存，400-800-03...

STB30NM60N
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業(yè)執(zhí)照
19325
ST/意法
D2PAK
22+
-

STB30NM60N
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
D2PAK
ST
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應

STB30NM60N
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業(yè)執(zhí)照
3786
ST
TO-263
2228+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

1/1頁 40條/頁共37條
1

您是不是要找： STB30NM60ND STB31N65M5 STB32N65M5 STB32NM50N STB33N60DM2 STB33N60M2 STB33N65M2 STB34N50DM2AG STB34N65M5

STB30NM60N PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STB30NM60N PDF下載

功能描述
MOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STB30NM60N 技術參數(shù)

STB30NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:115 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:94nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2740pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB30NF20L 功能描述:MOSFET N CH 200V 30A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1990pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB30NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1597pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB30NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1180pF @ 25V 功率 - 最大值:115W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB30N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:139 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2880pF @ 100V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB34NM60N STB34NM60ND STB35N60DM2 STB35N65M5 STB35NF10T4 STB36NF06LT4 STB36NM60N STB36NM60ND STB37N60DM2AG STB38N65M5 STB3N62K3 STB3NK60ZT4 STB40100CTR STB4045CTR STB4080CTR STB40N20 STB40N60M2 STB40NF10LT4