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SIRA66DP-T1-GE3

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  • SIRA66DP-T1-GE3
    SIRA66DP-T1-GE3

    SIRA66DP-T1-GE3

    現(xiàn)貨
  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 78920

  • Vishay(威世)

  • SIRA66DP-T1-GE3

  • 22+

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  • SIRA66DP-T1-GE3
    SIRA66DP-T1-GE3

    SIRA66DP-T1-GE3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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SIRA66DP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
  • SIR928-6C-F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 40° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:- 波長(zhǎng):875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:40° 朝向:側(cè)視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔，直角 封裝/外殼:徑向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:65mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:0.5mW/sr @ 20mA 波長(zhǎng):875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:120° 朝向:通用 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，J 形引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIRC16DP-T1-GE3 SIRC18DP-T1-GE3 SIS03VA SIS03VB SIS03VD SIS03VE SIS03VY SIS07VA SIS07VB SIS07VD SIS07VE SIS322DNT-T1-GE3 SIS330DN-T1-GE3 SIS334DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 SIS406DN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 SIS407DN-T1-GE3
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