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SIR401DP-T1-GE3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • SIR401DP-T1-GE3
    SIR401DP-T1-GE3

    SIR401DP-T1-GE3

    現(xiàn)貨
  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 78920

  • Vishay(威世)

  • PowerPAK SO-8

  • 21+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨庫存 優(yōu)勢價(jià)格出庫

  • SIR401DP-T1-GE3
    SIR401DP-T1-GE3

    SIR401DP-T1-GE3

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • VISHAY

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
SIR401DP-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SIR401DP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
  • SIR383C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:11mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 SIR383 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:11mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 SIR-34ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 3.5mW/sr @ 50mA 54° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:3.5mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:54° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 SIR-341ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 75mA 5.6mW/sr @ 50mA 32° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:75mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:32° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 SIR333-A 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:7.8mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 SIR418DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 SIR432DP-T1-GE3 SIR436DP-T1-GE3 SIR438DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 SIR460DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 SIR468DP-T1-GE3 SIR470DP-T1-GE3 SIR472ADP-T1-GE3 SIR472DP-T1-GE3 SIR474DP-T1-GE3 SIR474DP-T1-RE3
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