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SIE806DF-T1-GE3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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SIE806DF-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SIE806DF-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
  • SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 技術(shù):磁耦合 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時(shí)間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線 供應(yīng)商器件封裝:eSOP-R16B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 技術(shù):磁耦合 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時(shí)間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線 供應(yīng)商器件封裝:eSOP-R16B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 SIE818DF-T1-GE3 SIE820DF-T1-E3 SIE820DF-T1-GE3 SIE822DF-T1-E3 SIE822DF-T1-GE3 SIE830DF-T1-E3 SIE830DF-T1-GE3 SIE832DF-T1-E3 SIE832DF-T1-GE3 SIE836DF-T1-E3 SIE836DF-T1-GE3 SIE844DF-T1-E3 SIE844DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3 SIE848DF-T1-GE3 SIE854DF-T1-E3 SIE854DF-T1-GE3 SIE860DF-T1-E3
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