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SI5905BDC-T1-GE3

配單專家企業(yè)名單
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  • 封裝
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SI5905BDC-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET DUAL P-CH D-S 8V 1206-8
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
  • 系列
  • TrenchFET®
  • 產(chǎn)品目錄繪圖
  • 8-SOIC Mosfet Package
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • FET 型
  • 2 個 N 溝道(雙)
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 75 毫歐 @ 4.6A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • -
  • 功率 - 最大
  • 1.4W
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • PowerPAK? SO-8
  • 供應商設備封裝
  • PowerPAK? SO-8
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 1664 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5905BDC-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
配單專家

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