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SGNMNC3103E

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  • SGNMNC3103E
    SGNMNC3103E

    SGNMNC3103E

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Sprague-Goodman

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝

  • SGNMNC3103E
    SGNMNC3103E

    SGNMNC3103E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SPRAGUE-G

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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SGNMNC3103E 技術(shù)參數(shù)
  • SGNE06C270MT6R8G60 功能描述:VARISTOR 27V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 變阻器電壓:21.6V 壓敏電壓（典型）:27V 壓敏電壓（最大）:32.4V 電流 - 浪涌:- 電路數(shù):1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:15VDC 能量:- 封裝/外殼:0201（0603 公制） 安裝類型:表面貼裝 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SGNE06C080MT150N25 功能描述:VARISTOR 8V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 變阻器電壓:6.4V 壓敏電壓（典型）:8V 壓敏電壓（最大）:9.6V 電流 - 浪涌:- 電路數(shù):1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:4.3VDC 能量:- 封裝/外殼:0201（0603 公制） 安裝類型:表面貼裝 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SGN08G72G1BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGN08G64B3BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SODIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SODIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGN04G72G1BD2SA-CCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:4GB 速度:1333MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGNMNC3153EK SGNMNC3153K SGNMNC3205 SGNMNC3205E SGNMNC3205EK SGNMNC3205K SGNMNC3253 SGNMNC3253E SGNMNC3253EK SGNMNC3253K SGNMNC3256 SGNMNC3256E SGNMNC3256EK SGNMNC3256K SGNMNC3306 SGNMNC3306E SGNMNC3306EK SGNMNC3306K
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