S34MS04G200BHB003

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

S34MS04G200BHB003
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖先生
電話：13612973190
地址：廣東省深圳市華強北上航大廈西座410室
9000
Cypress
63-VFBGA
22+
-
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

S34MS04G200BHB003
萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯(lián)系人：王小康
電話：181886423070755-21006672
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
Cypress Semiconductor
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

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S34MS04G200BHB003 技術(shù)參數(shù)

S34MS04G100BHI000 制造商:Spansion 功能描述:1-BIT ECC, X8 I/O AND 1.8V VCC SPANSION? SLC NAN - Trays 制造商:Spansion 功能描述:IC FLASH 4GBIT 63-BGA 制造商:Spansion 功能描述:IC MEMORY FLASH 4GBIT NAND 制造商:Spansion 功能描述:IC, MEMORY, FLASH, 4GBIT, NAND, BGA-63, Memory Type:Flash - NAND, Memory Size:4G 制造商:Spansion 功能描述:MEMORY, FLASH NAND, 512MB, BGA-63, Memory Type:Flash - NAND, Memory Size:512MB, 制造商:Spansion 功能描述:MEMORY, FLASH NAND, 512MB, BGA-63, Memory Type:Flash - NAND, Memory Size:512MB, Supply Voltage Min:1.7V, Supply Voltage Max:1.95V, Memory Case Style:BGA, No. of Pins:63, Access Time:45ns, IC Interface Type:Parallel S34MS02G204BHI010 功能描述:IC FLASH 2GBIT 45NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:2Gb （128M x 16）寫周期時間 - 字，頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:63-VFBGA 供應商器件封裝:63-BGA（11x9）標準包裝:210 S34MS02G104BHI010 功能描述:閃存 2G, 1.8V, 45ns NAND 閃存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S34MS02G100TFI000 功能描述:IC FLASH 2GBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-1 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:2Gb （256M x 8）寫周期時間 - 字，頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商器件封裝:48-TSOP I 標準包裝:96 S34MS02G100BHI000 功能描述:IC FLASH 2GBIT 45NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-1 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:2Gb （256M x 8）寫周期時間 - 字，頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:63-VFBGA 供應商器件封裝:63-BGA（11x9）標準包裝:210 S34MS04G204BHI013 S34MS04G204TFI010 S34MS04G204TFI013 S34MS04G204WFI019 S34MS08G201BHA000 S34MS08G201BHA003 S34MS08G201BHB000 S34MS08G201BHB003 S34MS08G201BHI000 S34MS08G201BHI003 S34MS08G201BHV000 S34MS08G201BHV003 S34MS16G202BHI000 S34MS16G202BHI003 S34SL01G200BHI000 S34SL01G200BHI003 S34SL01G200BHV000 S34SL01G200BHV003