RNA201PLUS1.0

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RNA201PLUS1.0
深圳市華芯盛世科技有限公司
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地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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RNA201PLUS1.0
深圳市大源實業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：李女士
電話：1530261991513762584085
地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室
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RNA201PLUS1.0 技術參數(shù)

RN80532KC041512SL6EM 功能描述:IC MPU XEON 1.5V 2.0GHZ 603-INT3 RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微處理器系列:- 標準包裝:2 系列:MPC8xx 處理器類型:32-位 MPC8xx PowerQUICC 特點:- 速度:133MHz 電壓:3.3V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:357-BBGA 供應商設備封裝:357-PBGA（25x25）包裝:托盤 RN73C2A9K76BTDF 功能描述:RES SMD 9.76KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73，Holsworthy 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:9.76k 容差:±0.1% 功率（W）:0.1W，1/10W 成分:薄膜特性:- 溫度系數(shù):±10ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805（2012 公制）供應商器件封裝:805 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度:0.026"（0.65mm）端子數(shù):2 標準包裝:1 RN73C2A9K53BTDF 功能描述:RES SMD 9.53KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73，Holsworthy 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:9.53k 容差:±0.1% 功率（W）:0.1W，1/10W 成分:薄膜特性:- 溫度系數(shù):±10ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805（2012 公制）供應商器件封裝:805 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度:0.026"（0.65mm）端子數(shù):2 標準包裝:1 RN73C2A9K31BTDF 功能描述:RES SMD 9.31KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73，Holsworthy 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:9.31k 容差:±0.1% 功率（W）:0.1W，1/10W 成分:薄膜特性:- 溫度系數(shù):±10ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805（2012 公制）供應商器件封裝:805 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度:0.026"（0.65mm）端子數(shù):2 標準包裝:1 RN73C2A9K09BTDF 功能描述:RES SMD 9.09KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73，Holsworthy 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:9.09k 容差:±0.1% 功率（W）:0.1W，1/10W 成分:薄膜特性:- 溫度系數(shù):±10ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805（2012 公制）供應商器件封裝:805 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度:0.026"（0.65mm）端子數(shù):2 標準包裝:1 RNA4A8E151JT RNA4A8E153JT RNA4A8E154JT RNA4A8E163JT RNA4A8E181JT RNA4A8E183JT RNA4A8E202JT RNA4A8E203JT RNA4A8E220JT RNA4A8E221JT RNA4A8E222JT RNA4A8E223JT RNA4A8E224JT RNA4A8E242JT RNA4A8E270JT RNA4A8E271JT RNA4A8E272JT RNA4A8E302JT