- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369053 > 2N7081220MISO (TT electronics Semelab Limited) N-CHANNEL POWER MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N7081220MISO |
| 廠商： | TT electronics Semelab Limited |
| 英文描述： | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大小： | 14K |
| 代理商： | 2N7081220MISO |
2N7081–220M–ISO
Semelab plc
Telephone (01455) 556565
E-mail: sales@semelab.co.uk
Fax (01455) 552612.
Web site: http://www.semelab.co.uk
Prelim. 6/98
Parameter
STATIC ELECTRICAL RATINGS
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS
= 0
V
DS
= V
GS
V
DS
= 0
V
DS
= 80V
V
GS
= 0
V
DS
= 10V
V
GS
= 10V
I
D
= 7.7A
V
DS
= 15V
I
D
= 250μA
I
D
= 250μA
V
GS
= ±20V
T
J
= 125°C
V
GS
= 10V
T
J
= 125°C
I
DS
= 7.7A
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
f = 1MHz
V
DD
= 50V
V
GEN
=10V
R
L
= 4.1
R
G
= 7.5
I
D
= 11A
I
F
=11
I
F
= I
S
dI
F
/dt = 100A/μs
V
GS
= 0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25°C unless otherwise stated)
Drain – Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On–State Drain Current
Static Drain – Source On–State
Resistance
Forward Transconductance
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn–On Delay Time
Rise Time
Turn–Off Delay Time
Fall Time
SOURCE – DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Continuous Source Current
Pulse Source Current
2
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
PACKAGE CHARACTERISTICS
Thermal Resistance Junction – Case
Thermal Resistance Junction – Ambient
Thermal Resistance Case – Sink
100
2
4
±100
25
250
11
0.12
0.22
5
0.15
0.27
4
600
190
35
7
45
30
10
12
48
2.5
300
100
0.7
2.8
80
1
V
V
nA
μA
A
S
pF
ns
A
V
ns
μC
K/W
BV
DSS
V
GS(th)
I
DSS
I
D(on)
R
DS(on)
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
CS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7085 | EMI/RFI FILTER Bushing #4 |
| 2N7085 | N-Channel Enhanced Mode MOS Transistor（V(br)dss：100V，Id：20A，Rds(on)：0.075Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管（Vdss：100V，Id：20A，Rds(on)：0.075Ω）) |
| 2N7086 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR |
| 2N7086 | N-Channel Enhanced Mode MOS Transistor（V(br)dss：200V，Id：14A，Rds(on)：0.16Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管（V(br)dss：200V，Id：14A，Rds(on)：0.16Ω）) |
| 2N7090 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-257AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N7081-220M-ISO | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N7082 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-257AB |
| 2N7085 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR |
| 2N7086 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR |
| 2N7089 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-257AB |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。