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RD5.6MT1B

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  • RD5.6MT1B
    RD5.6MT1B

    RD5.6MT1B

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • NEC

  • 標準封裝

  • 09/10+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • RD5.6MT1BA
    RD5.6MT1BA

    RD5.6MT1BA

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NEC

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨!

  • RD5.6MT1BA
    RD5.6MT1BA

    RD5.6MT1BA

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯(lián)系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 3216

  • NEC

  • 原廠

  • 21+

  • -
  • 百分百進口原裝現(xiàn)貨,價格有優(yōu)勢。

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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RD5.6MT1B 技術參數(shù)
  • RD48F4400P0VBQEJ 功能描述:IC FLASH 256MBIT SCSP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR RD48F4400P0VBQE4 功能描述:IC FLASH 512MBIT 100NS 88SCSP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 RD48F4400P0VBQE3 功能描述:IC FLASH 512MBIT 100NS 88SCSP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 RD48F4400P0VBQ0A 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ RD48F4000P0ZBQ0A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 100NS 88TPBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ RD5-2690 RD5-4320 RD60-3 RD6127-10-9M0 RD6127-16-3M0 RD6127-6-15M0 RD6137-10-4M5 RD6137-16-1M5 RD6137-6-7M5 RD63-3-508 RD-65A RD-65B RD6CAH2600 RD7127-10-14M0 RD7127-16-5M7 RD7127-25-2M8 RD7127-36-1M0 RD7127-6-25M0
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