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RD5.6M-T1B 5.6V

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  • RD5.6M-T1B 5.6V
    RD5.6M-T1B 5.6V

    RD5.6M-T1B 5.6V

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • NEC

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 2000

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • RD5.6M-T1B 5.6V
    RD5.6M-T1B 5.6V

    RD5.6M-T1B 5.6V

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門(mén)市部：中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 54000

  • NEC

  • SOT23

  • 2000

  • -

  • 絕對(duì)進(jìn)口原裝現(xiàn)貨真實(shí)庫(kù)存

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
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RD5.6M-T1B 5.6V 技術(shù)參數(shù)
  • RD48F4400P0VBQEJ 功能描述:IC FLASH 256MBIT SCSP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):CAV24C32WE-GT3OSTR RD48F4400P0VBQE4 功能描述:IC FLASH 512MBIT 100NS 88SCSP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040 RD48F4400P0VBQE3 功能描述:IC FLASH 512MBIT 100NS 88SCSP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040 RD48F4400P0VBQ0A 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ RD48F4000P0ZBQ0A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 100NS 88TPBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ RD5-2690 RD5-4320 RD60-3 RD6127-10-9M0 RD6127-16-3M0 RD6127-6-15M0 RD6137-10-4M5 RD6137-16-1M5 RD6137-6-7M5 RD63-3-508 RD-65A RD-65B RD6CAH2600 RD7127-10-14M0 RD7127-16-5M7 RD7127-25-2M8 RD7127-36-1M0 RD7127-6-25M0
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