RC5025F8451CS 技術(shù)參數(shù)
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RC5025F101CS
功能描述:RES SMD 100 OHM 1% 2/3W 2010 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RC 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電阻(歐姆):100 容差:±1% 功率(W):0.667W,2/3W 成分:厚膜 特性:防潮 溫度系數(shù):±100ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:2010(5025 公制) 供應(yīng)商器件封裝:2010 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(5.00mm x 2.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
RC-5
功能描述:915μH Unshielded Wirewound Inductor 625mA 1 Ohm Radial 制造商:triad magnetics 系列:RC 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:915μH 容差:±10% 額定電流:625mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):1 歐姆 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:- 頻率 - 測(cè)試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 大小/尺寸:0.600" 直徑(15.24mm) 高度 - 安裝(最大值):0.930"(23.62mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:126
RC48F4400P0VB0EJ
功能描述:IC FLASH 256MBIT 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
RC48F4400P0VB0EA
功能描述:IC FLASH 512MBIT 65NM 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
RC48F4400P0VB0E4
功能描述:IC FLASH 512MBIT 100NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
RC5025F86R6CS
RC5025F8870CS
RC5025F8871CS
RC5025F8872CS
RC5025F8873CS
RC5025F8874CS
RC5025F88R7CS
RC5025F8R06CS
RC5025F8R25CS
RC5025F8R2CS
RC5025F8R45CS
RC5025F8R66CS
RC5025F8R87CS
RC5025F9090CS
RC5025F9091CS
RC5025F9092CS
RC5025F9093CS
RC5025F9094CS