參數(shù)資料
型號: MZ0912B100Y
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistors
封裝: MZ0912B100Y<SOT443A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT443A.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù): 7/12頁
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代理商: MZ0912B100Y
1997 Feb 20
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
MX0912B100Y; MZ0912B100Y
Fig.7 Broadband test circuit.
Dimensions in mm.
Substrate: Epsilam 10.
Thickness: 0.635 mm.
Permittivity:
ε
r
= 10.
handbook, full pagewidth
MGK067
C3
+
VCC
L1
L2
C2
C4
C5
C1
30
40
30
40
0.635
0.635
18
2 3
3
4
10
10
10
3
5
12.5
5
16
7
3
3 1
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