產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 75 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 82 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 33 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 17 S
高度: 20.7 mm
長(zhǎng)度: 15.87 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時(shí)間: 43 ns
400
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 41 ns
典型接通延遲時(shí)間: 14 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 6 g