產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 44 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 54 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 91 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 47 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 17 S
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時(shí)間: 95 ns
1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 29 ns
典型接通延遲時(shí)間: 16 ns
寬度: 4.4 mm
單位重量: 2 g
ADXL1002BCPZ
ADXL1002BCPZ
LM5005MHX/NOPB
TB62705CFG
SM2082C
DS1080LU+T
BD46232G
MAX5702BAUB+T
DS3902U-530+TR
MAX9611AUB+T
MAX11160EUB+T
DS1338U-33+T&R
DS1672U-33+T&R
GL850G
GL850G
UPD48288236FF-EF26-DW1-A
LM2585T-ADJ
BQ20Z951DBTR
LM2576T-12
DS1390U-33+T&R
DS1339U-33+TR
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