產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 295 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.6 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 900 pC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): onsemi
配置: Dual
下降時(shí)間: 32 ns
高度: 0.9 mm
長度: 2 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 34 ns
系列: NTJD5121N
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 34 ns
典型接通延遲時(shí)間: 22 ns
寬度: 1.25 mm
單位重量: 6 mg