華芯源 IRF630NPBF Infineon / IR MOSFET
需要的聯(lián)系 VX+wanghanwei666888
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 300 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 23.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 82 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon / IR
配置: Single
下降時(shí)間: 15 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 4.9 S
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 14 ns
工廠包裝數(shù)量: 100
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 27 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7.9 ns
寬度: 4.4 mm
零件號(hào)別名: IRF630NPBF SP001564792
單位重量: 2 g