產(chǎn)品信息
類別 離散半導(dǎo)體產(chǎn)品
電晶體 - FET、MOSFET - 單
製造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
FET 類型 P 通道
技術(shù) MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)汲極 (Id) @ 25°C 11.5 A (Ta)
驅(qū)動電壓 (最大 Rds On、最小 Rds On) 4.5V、10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs 10mOhm @ 11.5A、10V
Vgs(th)(最大值)@ Id 3V @ 250μA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 41nC @ 10V
Vgs (最大) ±25V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds 2246pF @ 15V
FET 特點(diǎn) -
功率耗散(最大值) 940mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應(yīng)商元件封裝 PowerDI3333-8
封裝／外殼 8-PowerVDFN
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公司介紹
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