類別 離散半導(dǎo)體產(chǎn)品
電晶體 - FET、MOSFET - 單
製造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態(tài) 有效
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 100V
電流 - 連續(xù)汲極 (Id) @ 25°C 190mA (Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓 (最大 Rds On、最小 Rds On) 4.5V、10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs 6Ohm @ 190mA、10V
Vgs(th)(最大值)@ Id 1.8V @ 13μA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 0.9nC @ 10V
Vgs (最大) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds 20.9pF @ 25V
FET 特點(diǎn) -
功率耗散(最大值) 500mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應(yīng)商元件封裝 SOT-23-3
封裝/外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3