類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 80A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 4.4毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 253μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 160nC @ 10V
Vgs(最大值) +5V,-16V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 11300pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 137W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO220-3-1
封裝/外殼 TO-220-3