類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 剪切帶(CT) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 87A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 8V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 9.3 毫歐 @ 44A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4.6V @ 107μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 40.7nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 3230pF @ 75V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 139W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8-7
封裝/外殼 8-PowerTDFN