FDB7030BL介紹:
描述 MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 15 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 60A(Ta) 60W(Tc) TO-263AB
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 60A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 9 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 1760pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
工作溫度 -65°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-263AB
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間,產(chǎn)生大電流;在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。
2007年預(yù)計(jì)22億美元的收入 模擬及混合信號(hào)技術(shù)與設(shè)計(jì)的領(lǐng)先供應(yīng)商 電源管理業(yè)界的領(lǐng)先供應(yīng)商 汽車產(chǎn)品領(lǐng)先供應(yīng)商 醫(yī)療、軍事/航空和工業(yè)等終端市場(chǎng)應(yīng)用的領(lǐng)先定制產(chǎn)品 世界級(jí)、高產(chǎn)量、高性價(jià)比的制造 汽車、計(jì)算、消費(fèi)和通信等終端市場(chǎng)應(yīng)用的領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品