IS61WV25616BLL-10TLI
ISSI
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IS61WV25616BLL-10TLI是一個(gè)高速,262144字4194304位靜態(tài)RAM組織由16位。 IS61WV25616BLL-10TLI采用ISSI公司的hgih高性能CMOS技術(shù)。這種高度可靠的過程,再加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù),高性能和低功耗設(shè)備的產(chǎn)量。當(dāng)CE為高電平時(shí)(取消選擇),IS61WV25616BLL-10TLI假定功耗CMOS輸入電平可降低待機(jī)模式。 參數(shù)上 IS61WV25616BLL-10TLI的大額定值:(1)相對(duì)于GND端電壓:-0.5V至VDD+0.5 V;(2)VDD到GND-0.3V到4.0V(3)存儲(chǔ)溫度:-65 150℃;(4)功耗:1.0W。 特點(diǎn) IS61WV25616BLL10TLI功能:(1)高速訪問時(shí)間:8,10,20ns的;(2)積極低功率:為85mW;(3)低待機(jī)功耗:7MW CMOS待機(jī);(4)單電源供電:2.4至3.6 V,(5)完全靜態(tài)操作:沒有時(shí)鐘或刷新;(6)三態(tài)輸出;(7)數(shù)據(jù)控制uppear和低字節(jié)(8)工業(yè)和汽車溫度的支持;(9)無鉛可用。
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