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FET 類型 | N 通道 |
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技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) |
漏源電壓(Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) | 1.4A(Ta) |
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) | 220 毫歐 @ 910mA,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) | 4.1nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) | 150pF @ 25V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 625mW(Ta) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝型 |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
電話:18610153455
聯(lián)系人:韓冰 (女士)
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