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FET 類型 | N 通道 | |
技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) | |
漏源電壓(Vdss) | 25 V | |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 680mA(Ta) | |
驅(qū)動(dòng)電壓() | 2.7V,4.5V | |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻() | 450 毫歐 @ 500mA,4.5V | |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)() | 1.5V @ 250μA | |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)() | 2.3 nC @ 4.5 V | |
Vgs() | ±8V | |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)() | 50 pF @ 10 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散() | 350mW(Ta) | |
工作溫度 | -55°C ~ 155°C(TJ) | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3 | |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
基本產(chǎn)品編號(hào) | FDV303 |
電話:17862669251
聯(lián)系人:洪寶宇 (先生)
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地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505(京北通宇)
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