產(chǎn)品信息

BCV27
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
460mA（Ta）
驅(qū)動電壓（Rds On，Rds On）
2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（）
1.1 歐姆 @ 500mA，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（）
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs（）
±8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（）
63 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（）
350mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
SOT-23-3
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產(chǎn)品編號
FDV304
　
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公司介紹

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