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FET 類型 | P 通道 | |
技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) | |
漏源電壓(Vdss) | 100 V | |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 19A(Tc) | |
驅(qū)動(dòng)電壓( Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻() | 200 毫歐 @ 11A,10V | |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)() | 4V @ 250μA | |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)() | 61 nC @ 10 V | |
Vgs() | ±20V | |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)() | 1400 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散() | 3.7W(Ta),150W(Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-263(D2PAK) | |
封裝/外殼 | TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB | |
基本產(chǎn)品編號 | IRF9540 |
電話:17862669251
聯(lián)系人:洪寶宇 (先生)
QQ:
郵箱:hongby@buyele.net
地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)
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