產(chǎn)品信息

N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設備，外形可應對幾乎任何板布局和熱設計挑戰(zhàn)。 在整個范圍內(nèi)，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。

產(chǎn)品技術參數(shù)
屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 5.2 A
最大漏源電壓 55 V
最大漏源電阻值 65 mΩ
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1V
最大柵源電壓 -16 V、+16 V
封裝類型 SOT-223
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3 + Tab
晶體管配置 單
通道模式 增強
最大功率耗散 2.1 W
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 3.7mm
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 32 nC @ 10 V
高度 1.739mm
長度 6.7mm
晶體管材料 Si
系列 HEXFET
最低工作溫度 -55 °C
　
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公司介紹

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