增強型模式
雪崩等級
低切換和傳導(dǎo)功率損耗
無鉛引線電鍍;符合 RoHS 標準
標準封裝
OptiMOS? P 通道系列:溫度范圍為 -55°C 至 +175°C
MOSFET 晶體管,Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 310 mA
最大漏源電壓 20 V
最大柵閾值電壓 1.2V
最小柵閾值電壓 0.6V
最大柵源電壓 -12 V、+12 V
封裝類型 SOT-323 (SC-70)
安裝類型 表面貼裝
晶體管配置 單
引腳數(shù)目 3
通道模式 增強
類別 小信號
最大功率耗散 250 mW
寬度 1.25mm
高度 0.8mm
系列 OptiMOS P
最高工作溫度 +150 °C
長度 2mm
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
典型接通延遲時間 3.8 ns
最低工作溫度 -55 °C
典型柵極電荷@Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
典型輸入電容值@Vds 45 pF @ -15 V 典型關(guān)斷延遲時間 5.1 ns