產(chǎn)品信息

Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET
Infineon SIPMOS? 小信號(hào) P 通道 MOSFET 具有多種功能，可能包括增強(qiáng)模式、連續(xù)漏極電流（約低至 80A）及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應(yīng)用，包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設(shè)備以及汽車工業(yè)。
· 符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)（請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表）
· 無鉛引線電鍍，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

MOSFET 晶體管，Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 9.7 A
最大漏源電壓 60 V
最大漏源電阻值 400 mΩ
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
晶體管配置 單
引腳數(shù)目 3
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 42 W
典型輸入電容值@Vds 360 pF @ -25 V
典型柵極電荷@Vgs 14 nC @ 10 V
最低工作溫度 -55 °C
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 49 ns
每片芯片元件數(shù)目 1
典型接通延遲時(shí)間 11 ns
長(zhǎng)度 6.73mm
晶體管材料 Si
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm
寬度 6.22mm
最高工作溫度 +175 °C
系列 SIPMOS
高度 2.41mm
　
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公司介紹

北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司是一家專業(yè)的電子元器件分銷商，主營(yíng)連接器、IC、傳感機(jī)電、無源元件、分立器件等產(chǎn)品，建立了遍布全球的供應(yīng)商網(wǎng)絡(luò)，并以此為依托，為全國(guó)數(shù)以萬(wàn)計(jì)的企事業(yè)單位提供快捷、優(yōu)質(zhì)的電子元器件供應(yīng)服務(wù)。長(zhǎng)期服務(wù)于汽車電子、工控、消費(fèi)類電子、通訊、儀器儀表、醫(yī)療器械等行業(yè)，公司以穩(wěn)定的貨源、大量的庫(kù)存、合理的價(jià)格贏得全球眾多客戶的認(rèn)可和支持。
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