特點(diǎn)
?符合的SOT -至227B大綱
?低RDS（ON）HDMOSTM過程
?堅(jiān)固的多晶硅柵單元結(jié)構(gòu)
?非鉗位感應(yīng)開關(guān)（UIS）的
額定
?低電感封裝
?快速內(nèi)在整流器
?封裝環(huán)氧樹脂符合
符合UL 94 V - 0，易燃性分類
應(yīng)用
?DC - DC變換器
?電池充電器
?交換模式和諧振模式
電源供應(yīng)器
?直流斬波器
?溫度和照明控制
優(yōu)勢(shì)
?易于安裝
?節(jié)省空間
?高功率密度
| Parameter | IXFE180N20 |
| VDSS, max, (V) | 200 |
| ID(cont), TC=25°C, (A) | 158 |
| RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) | 0.012 |
| Ciss, typ, (pF) | 14400 |
| Qg, typ, (nC) | 360 |
| trr, typ, (ns) | |
| trr, max, (ns) | 250 |
| PD, (W) | 500 |
| RthJC, max, (°C/W) | 0.25 |
